摘要：本文主要介绍了使用酸腐机对硅片进行的酸腐蚀实验。通过混酸的温度和混酸中溶液的配比的改变、相同的条件下也会得到不同 的腐蚀速率。硅片晶向对酸腐蚀速率基本没有影响。并为寻求以后稳定的酸腐蚀工艺奠定了基础。

关键词：酸腐蚀，硅片，HNA 腐蚀

正文：IC产业中所使用的硅片需要具有良好的平整度和较低的表面 缺陷。但经切割、研磨所得到的硅片往往平整度较差，表面损伤较 多，通常会进行化学腐蚀。常用的化学腐蚀方法为酸腐蚀和碱腐蚀 两种，本文采用的是酸腐蚀的方法。 本文主要考察酸腐蚀液的配比和温度、硅片的晶向、等因素对 硅片腐蚀过程的影响。 1. 腐蚀液温度对硅腐蚀速率的影响 本实验为15℃、20℃和25℃下进行的酸腐蚀速率对比实验。实 验材料及条件如下： 硅片导电类型：N型； 电阻率：1-50 Ω·cm 酸腐蚀液配比：V(CH3COOH)：V(HNO3)：V(HF)=1.25:2.5:1。 腐蚀时间：30s。 选取同一颗单晶的晶片共9片，分为三组，分别进行25℃、 20℃、15℃三种不同温度下的酸腐蚀，记录腐蚀前厚晶片的厚度， 根据硅片的厚度变化考察反应速率的快慢。将硅片的厚度变化的平 均值除以时间得到平均腐蚀速率，结果如下